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工信部:光伏项目不得盲目扩产!

来源:电网政策

时间:2024-07-13 10:40:19

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  7月9日,工信部公开征求了对光伏制造行业规范条件及公告管理办法(征求意见稿)的意见。其中提到了要引导光伏企业减少单纯扩大产能的光伏制造项目,加强技术创新、提高产品质量、降低生产成本。新建和改扩建光伏制造项目,最低资本金比例为30%。

  还提到要鼓励企业将自动化、信息化、智能化及绿色化等贯穿于设计、生产、管理、检测和服务的各个环节,积极开展智能制造,提升本质安全水平,降低运营成本,缩短产品生产周期,提高生产效率,降低产品不良品率,提高能源利用率。

  鼓励企业参与光伏行业绿色低碳相关标准制修订工作。参照光伏行业绿色制造相关标准要求,开展绿色产品认证、绿色工厂、绿色供应链评价等工作。鼓励企业在生产制造过程中优先使用绿色清洁电力,采用购买绿色电力证书、建设应用工业绿色微电网等方式满足绿色制造要求。


  新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求:

  1.多晶硅满足《电子级多晶硅》(GB/T 12963)3级品以上要求或《流化床法颗粒硅》(GB/T35307)特级品的要求。

  2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命不低于2.5us,碳、氧含量分别小于6ppma和8ppma;P型单晶硅片少子寿命不低于90us,N型单晶硅片少子寿命不低于1000us,碳、氧含量分别小于1ppma和12ppma,其中异质结电池用N型单晶硅片少子寿命不低于700us,碳、氧含量分别小于1ppma和14ppma.

  3.多晶硅电池、P型单晶硅电池和N型单晶硅电池(双面电池按正面效率计算)的平均光电转换效率分别不低于21.7%、23.7%和26%。

  4.多晶硅组件、P型单晶硅组件和N型单晶硅组件(双面组件按正面效率计算)的平均光电转换效率分别不低于19.7%、21.8%和23.1%。

  5.CIGS、CdTe及其他薄膜组件的平均光电转换效率分别不低于16%、16.5%、15%。

  P型晶硅组件衰减率首年不高于2%,后续每年不高于0.55%,25年内不高于15%,N型晶硅组件衰减率首年不高于1%,后续每年不高于0.4%,25年内不高于11%;薄膜组件衰减率首年不高于4%,后续每年不高于0.4%,25年内不高于14%。

  

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